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Si6413DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
60
50
0.2
0.0
I D = 400 μA
40
30
20
- 0.2
10
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
T ime (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited
by R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 100 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72084
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
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